FDD8424H_F085

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FDD8424H_F085中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 24 mΩ

极性 N+P

耗散功率 3.1 W

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 9A/6.5A

输入电容Ciss 1000pF @20VVds

额定功率Max 1.3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-5

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDD8424H_F085
型号: FDD8424H_F085
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK

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