FDMJ1032C

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FDMJ1032C中文资料参数规格
技术参数

极性 N+P

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 3.2A/2.5A

输入电容Ciss 270pF @10VVds

额定功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 WFDFN-6

外形尺寸

封装 WFDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDMJ1032C
型号: FDMJ1032C
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75

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