FGH40N60SMD_F085

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FGH40N60SMD_F085概述

IGBT,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 系列 IGBT 符合 AEC-Q101 要求### 标准AEC-Q101### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

汽车 IGBT, Semiconductor

来自 Fairchild Semiconductor 的一系列场截止沟道
.
* IGBT**,已通过压力测试,并符合 AEC-Q101 标准。

### 特点

• 正温度系数易于并行操作

• 高电流容量

• 低饱和电压

• 高输入阻抗

• 收紧参数分布

### RS 产品代码

864-8792 FGB20N60SFD_F085 IGBT 600V 20A D2PAK-2

864-8852 IGBT 600V 40A TO247

864-8877 FGH60N60SMD_F085 IGBT 600V 60A TO247

135-8687 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263

135-8663 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263(每包 800 个)

864-8871 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247

124-1447 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247(每包 30 个)

### 注

所述电流额定值在结点温度为 Tc = +100°C 时适用。

### 标准

AEC-Q101

FGH40N60SMD_F085中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 349000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 47 ns

额定功率Max 349 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 349 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.6 mm

宽度 4.7 mm

高度 20.6 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FGH40N60SMD_F085
型号: FGH40N60SMD_F085
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:IGBT,Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 系列 IGBT 符合 AEC-Q101 要求 ### 标准 AEC-Q101 ### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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