FZT853

FZT853图片1
FZT853图片2
FZT853图片3
FZT853图片4
FZT853图片5
FZT853图片6
FZT853概述

DIODES INC.  FZT853  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 130 MHz, 3 W, 6 A, 200 hFE

The is a 100V NPN Complementary Medium Power High Current Transistor with matte tin plated leads solderable as per MIL-STD-202 standard, method 208.

.
High continuous collector current
.
Low saturation voltages
.
hFE specified up to 10A for a high gain hold-up
.
Complementary PNP type FZT953
.
AEC-Q101 qualified
.
UL94V-0 Flammability rating

ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.

FZT853中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 3 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 6A

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Aerospace, Automotive, Defence, 车用, 军用与航空, 国防, Military

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

军工级 Yes

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买FZT853
型号: FZT853
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:DIODES INC.  FZT853  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 130 MHz, 3 W, 6 A, 200 hFE
替代型号FZT853
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FZT853

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

PBSS306NZ,135

恩智浦

功能相似

FZT853和PBSS306NZ,135的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台