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FC4B21300L1概述

MOSFET Gate res integrated Dual Nch MOSFET

Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 1.5A 4-SMD

得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 4SMD

立创商城:
FC4B21300L1

贸泽:
MOSFET Gate res integrated Dual Nch MOSFET

FC4B21300L1中文资料参数规格

技术参数

输出接口数 1

通道数 2

漏源极电阻 225 mΩ

耗散功率 320 mW

阈值电压 350 mV

漏源击穿电压 12 V

输出电流Max 1.5 A

下降时间 0.22 µs

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-4

外形尺寸

封装 SMD-4

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FC4B21300L1

型号： FC4B21300L1

制造商： Panasonic 松下

描述：MOSFET Gate res integrated Dual Nch MOSFET