F-RAM, Ramtron非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
F-RAM,
铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。
非易失性铁电 RAM 存储器
快写入速度
高耐受性
低功耗
得捷:
IC FRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II
欧时:
### F-RAM,Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
Chip1Stop:
NVRAM FRAM Parallel 2M-Bit 3.3V 44-Pin TSOP-II
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FM21L16-60-TG Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 当前型号 | 当前型号 |
FM21L16-60-TGTR 赛普拉斯 | 完全替代 | FM21L16-60-TG和FM21L16-60-TGTR的区别 |
FM28V202A-TG 赛普拉斯 | 类似代替 | FM21L16-60-TG和FM28V202A-TG的区别 |
FM22L16-55-TG 赛普拉斯 | 功能相似 | FM21L16-60-TG和FM22L16-55-TG的区别 |