FDMD8530中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
极性 Dual N-Channel
耗散功率 78 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 35A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 10395pF @15VVds
额定功率Max 2.2 W
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerWDFN-8
外形尺寸
高度 0.75 mm
封装 PowerWDFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买FDMD8530
型号： FDMD8530
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMD8530 双路场效应管, MOSFET, 电源沟槽, 双N沟道, 201 A, 30 V, 0.00077 ohm, 10 V, 1.5 V 新