FUJI ELECTRIC FMW30N60S1HF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 3 V
N-沟道功率 MOSFET，Super J MOS，Fuji Electric
N-沟道增强模式功率 MOSFET
\- 低接通电阻
\- 低噪声
\- 低切换损耗
欧时:
Fuji Electric Super J-MOS 系列 Si N沟道 MOSFET FMW30N60S1HF, 30 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 3 V
Allied Electronics:
IC, MOSFET; N-Channel, Super Junction; 600V; 30A; 200W; TO-247-P2
Newark:
# FUJI ELECTRIC FMW30N60S1HF Power MOSFET, N Channel, 30 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 3 V
针脚数 3
漏源极电阻 0.106 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 220 W
阈值电压 3 V
输入电容 2200pF @10V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 30A
热阻 0.57℃/W RθJC
输入电容Ciss 2200pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 220 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-2
长度 15.9 mm
宽度 5.03 mm
高度 20.95 mm
封装 TO-247-2
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
制造应用 电源管理, Power Management, Communications & Networking, 通信与网络
RoHS标准 RoHS Compliant