FQB4N80

FQB4N80中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 3.9A

封装参数

封装 D2PAK

外形尺寸

封装 D2PAK

其他

产品生命周期 Unknown

数据手册

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型号: FQB4N80
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET
替代型号FQB4N80
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQB4N80

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

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FQB4N80TM

飞兆/仙童

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