FCH041N65EFL4参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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FCH041N65EFL4概述

MOSFET N-CH 650V 76A

N-Channel 650V 76A Tc 595W Tc Through Hole TO-247

得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 76A Rail

FCH041N65EFL4中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 595 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 76A

输入电容Ciss 12560pF @100VVds

耗散功率Max 595W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-4

外形尺寸

宽度 5.2 mm

封装 TO-247-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FCH041N65EFL4

型号： FCH041N65EFL4

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：MOSFET N-CH 650V 76A