Trans IGBT Chip N-CH 600V 38A 125000mW 5Pin5+Tab ISOPLUS I4-PAC
IGBT NPT 通孔 ISOPLUS i4-PAC™
得捷: IGBT 600V 38A 125W I4PAC5
贸泽: IGBT Transistors 35 Amps 600V
艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 600V 38A 5-Pin5+Tab ISOPLUS I4-PAC
耗散功率 125000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 50 ns
额定功率Max 125 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 5
封装 i4-Pac-5
长度 19.91 mm
宽度 5.03 mm
高度 20.88 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册