FID36-06D参数规格_中文资料_数据手册PDF

FID36-06D概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 38A 125000mW 5Pin5+Tab ISOPLUS I4-PAC

IGBT NPT 通孔 ISOPLUS i4-PAC™

得捷:
IGBT 600V 38A 125W I4PAC5

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 38A 5-Pin5+Tab ISOPLUS I4-PAC

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 38A 5-Pin5+Tab ISOPLUS I4-PAC

FID36-06D中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 125000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 50 ns

额定功率Max 125 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 5

封装 i4-Pac

外形尺寸

高度 20.88 mm

封装 i4-Pac

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FID36-06D

型号： FID36-06D

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 38A 125000mW 5Pin5+Tab ISOPLUS I4-PAC