Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3Pin3+Tab TO-3pF
IGBT 600V 30A 60W TO-3PF
得捷: IGBT 600V 30A 60W TO3PF
Chip1Stop: Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin3+Tab TO-3PF
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 60 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册