FP15R12W1T4B11BOMA1概述
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 28 A, 1.85 V, 130 W, 1.2 kV, Module
Summary of Features:
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- High power density
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- Established Easy module concept
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- Integrated temperature sensor available
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- Low stray inductance module design
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- RoHS-compliant modules
Benefits:
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- Compact module concept
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- Optimized customer’s development cycle time and cost
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- Configuration flexibility
FP15R12W1T4B11BOMA1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 130 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 890pF @25V
额定功率Max 130 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 130000 mW
封装参数
引脚数 23
封装 AG-EASY1B-2
外形尺寸
封装 AG-EASY1B-2
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Air Conditioning System, Drives, Uninterruptible Power Supply UPS, Battery Charger, Medical, Solar
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
FP15R12W1T4B11BOMA1引脚图与封装图 
在线购买FP15R12W1T4B11BOMA1
型号： FP15R12W1T4B11BOMA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 28 A, 1.85 V, 130 W, 1.2 kV, Module