FF800R17KP4B2NOSA2参数规格_中文资料_数据手册PDF

FF800R17KP4B2NOSA2概述

Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.2kA 4850000mW 10Pin Tray

IGBT 模块

得捷:
IGBT MODULE 1700V 800A

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.7KV 1.2KA Tray

Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.2KA 4850000mW Automotive 10-Pin IHM130-1 Tray

FF800R17KP4B2NOSA2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 4850000 mW

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 4850000 mW

封装参数

引脚数 10

封装 A-IHM130-1

外形尺寸

封装 A-IHM130-1

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Commercial and Agriculture Vehicles, Traction, Drives, Wind

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

FF800R17KP4B2NOSA2引脚图与封装图

在线购买FF800R17KP4B2NOSA2

型号： FF800R17KP4B2NOSA2

描述：Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.2kA 4850000mW 10Pin Tray

替代型号FF800R17KP4B2NOSA2

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
FF800R17KP4B2NOSA2 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
FF800R17KE3B2NOSA1 英飞凌	功能相似	FF800R17KP4B2NOSA2和FF800R17KE3B2NOSA1的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

FF800R17KP4B2NOSA2

Infineon 英飞凌

当前型号

FF800R17KE3B2NOSA1

英飞凌

功能相似