FS150R12KT4B11BOSA1概述
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV, Module
Summary of Features:
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- High power density
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- Established Econo module concept
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- Integrated temperature sensor
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- Low stray inductance module design
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- RoHS-compliant modules
Benefits:
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- Compact module concept
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- Optimized customer’s development cycle time and cost
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- Configuration flexibility
FS150R12KT4B11BOSA1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 750 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 9.35nF @25V
额定功率Max 750 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 750000 mW
封装参数
引脚数 35
封装 AG-ECONO3-4
外形尺寸
封装 AG-ECONO3-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Induction Heating, Drives, Air Conditioning System
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FS150R12KT4B11BOSA1引脚图与封装图 
在线购买FS150R12KT4B11BOSA1
型号： FS150R12KT4B11BOSA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV, Module