FDMD8540L概述
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8Pin PQFN EP T/R
Mosfet Array 2 N-Channel Half Bridge 40V 33A, 156A 2.3W Surface Mount 8-Power 5x6
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
贸泽:
MOSFET 40V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin PQFN EP T/R
FDMD8540L中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
极性 N-CH
耗散功率 2.3 W
阈值电压 1 V, 1 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 ±40 V
连续漏极电流Ids 33A
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 7940pF @20VVds
额定功率Max 2.3 W
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-33-8
外形尺寸
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 0.75 mm
封装 Power-33-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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