INFINEON FF200R12KE4HOSA1 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 240 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module
Summary of Features:
Benefits:
针脚数 7
极性 NPN
耗散功率 1.1 kW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 14nF @25V
额定功率Max 1100 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1100000 mW
引脚数 7
封装 62MM-1
封装 62MM-1
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Drives, Uninterruptible Power Supply UPS, Welding, Induction Heating, Commercial and Agriculture Vehicles, Solar
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
FF200R12KE4HOSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SKM150GB12T4G 赛米控 | 功能相似 | FF200R12KE4HOSA1和SKM150GB12T4G的区别 |