FDC021N30

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FDC021N30中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.026 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.6 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 710pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 700mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-23-6

外形尺寸

宽度 1.6 mm

封装 SOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买FDC021N30
型号: FDC021N30
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC021N30 MOSFET Transistor, Trench, N Channel, 6.1A, 30V, 0.026Ω, 10V, 1.8V New

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