FD250R65KE3-K

FD250R65KE3-K图片1
FD250R65KE3-K概述

IGBT模块

Summary of Features:

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Low Vcesat
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AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Capability
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Extended Storage Temperature down to Tstg = -55°C
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Package with CTI > 600
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Package with enhanced Insulation of 10.2kV AC 1min
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High Creepage and Clearance Distance

Benefits:

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Standardized housing
FD250R65KE3-K中文资料参数规格
封装参数

封装 A-IHV130-6

外形尺寸

封装 A-IHV130-6

其他

产品生命周期 Active

制造应用 Wind, Traction, Commercial and Agriculture Vehicles, Drives

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

FD250R65KE3-K引脚图与封装图
FD250R65KE3-K电路图
在线购买FD250R65KE3-K
型号: FD250R65KE3-K
描述:IGBT模块
替代型号FD250R65KE3-K
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FD250R65KE3-K

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

FD250R65KE3KNOSA1

英飞凌

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FD250R65KE3-K和FD250R65KE3KNOSA1的区别

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