FMA1

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FMA1概述

FMA1 PNP+PNP复合带阻尼三极管 -50V -0.1A 0.3W R1=R2=22KΩ SOT-153/SMT5/SC-74A/SOT23-5 标记A1 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -100MA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 22KΩ 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 22KΩ 基极与基极-发射极输入电阻比R1/R2 Base-Emitter Input Resistance RatioR1/R2 | 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | PNP型复合数字晶体管偏置电阻内置晶体管 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 250MHZ 耗散功率Pc Power Dissipation | 300MW/0.3W 描述与应用 Description & Applications | 技术文档PDF下载 | 在线阅读

FMA1中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-153

外形尺寸

封装 SOT-153

其他

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO -50V

集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO -50V

集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC -100MA/-0.1A

基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 22KΩ

基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 22KΩ

基极与基极-发射极输入电阻比R1/R2 Base-Emitter Input Resistance RatioR1/R2 1

直流电流增益hFE DC Current GainhFE PNP型复合数字晶体管偏置电阻内置晶体管

截止频率fT Transtion FrequencyfT 250MHZ

耗散功率Pc Power Dissipation 300MW/0.3W

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型号: FMA1
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:FMA1 PNP+PNP复合带阻尼三极管 -50V -0.1A 0.3W R1=R2=22KΩ SOT-153/SMT5/SC-74A/SOT23-5 标记A1 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

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