FF900R12IP4BOSA2

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FF900R12IP4BOSA2概述

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module

Summary of Features:

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Extended Operation Temperature Ttvj op
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High DC Stability
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High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Circuit Current
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Unbeatable Robustness
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Vcesat with positive Temperature Coefficient
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Low Vcesat
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4kV AC 1min Insulation
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Package with CTI > 400
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High Creepage and Clearance Distances
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High Power and Thermal Cycling Capability
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Substrate for Low Thermal Resistance
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UL recognized
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Benefits:

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High Power Density
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Standardized housing
FF900R12IP4BOSA2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 5.1 kW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 54nF @25V

额定功率Max 5100 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 10

封装 AG-PRIME2-1

外形尺寸

封装 AG-PRIME2-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Commercial and Agriculture Vehicles, Drives, Solar, Uninterruptible Power Supply UPS, Traction, Wind

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

FF900R12IP4BOSA2引脚图与封装图
FF900R12IP4BOSA2电路图
在线购买FF900R12IP4BOSA2
型号: FF900R12IP4BOSA2
描述:晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module

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