FDB86569_F085

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FDB86569_F085中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 176000 mW

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 110A

上升时间 52 ns

输入电容Ciss 6655pF @30VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 176000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买FDB86569_F085
型号: FDB86569_F085
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

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