FP35R12W2T4BOMA1

FP35R12W2T4BOMA1图片1
FP35R12W2T4BOMA1图片2
FP35R12W2T4BOMA1图片3
FP35R12W2T4BOMA1概述

Infineon FP35R12W2T4BOMA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 54 A, Vce=1200 V AG-EASY2B-1封装

IGBT 模块,

**Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。

IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。

封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4


得捷:
IGBT MOD 1200V 54A 215W


欧时:
Infineon FP35R12W2T4BOMA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 54 A, Vce=1200 V AG-EASY2B-1封装


e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 54 A, 1.85 V, 215 W, 1.2 kV, Module


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 54A 215000mW 23-Pin EASY2B-2 Tray


Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 54A 215000mW 23-Pin EASY2B-2 Tray


FP35R12W2T4BOMA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 215 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 2nF @25V

额定功率Max 215 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 215000 mW

封装参数

引脚数 23

封装 AG-EASY2B-1

外形尺寸

长度 56.7 mm

宽度 48 mm

高度 12 mm

封装 AG-EASY2B-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FP35R12W2T4BOMA1
型号: FP35R12W2T4BOMA1
描述:Infineon FP35R12W2T4BOMA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 54 A, Vce=1200 V AG-EASY2B-1封装

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台