FQD1N50

FQD1N50中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 1.1A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DPAK

外形尺寸

封装 DPAK

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: FQD1N50
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
替代型号FQD1N50
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