FQD7N10

FQD7N10中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 5.8A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DPAK

外形尺寸

封装 DPAK

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: FQD7N10
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET
替代型号FQD7N10
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