FMMT619-G参数规格_中文资料_数据手册PDF

FMMT619-G概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN TRANSISTOR 2A 50V

Bipolar BJT Transistor NPN 50V 2A 100MHz 350mW Surface Mount SOT-23

得捷:
NPN TRANSISTOR 2A 50V SOT-23 ROH

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN TRANSISTOR 2A 50V

艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

FMMT619-G中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 2V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FMMT619-G

型号： FMMT619-G

制造商： Comchip Technology 上华科技

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN TRANSISTOR 2A 50V