FDS6690

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FDS6690中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 25.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 13 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: FDS6690
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:单N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
替代型号FDS6690
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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