FJAF6810D

FJAF6810D图片1
FJAF6810D中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 750 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 7 @1A, 5V|5 @6A, 5V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube, Rail

数据手册

在线购买FJAF6810D
型号: FJAF6810D
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN型三重扩散平面硅晶体管 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
替代型号FJAF6810D
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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