FJNS3211R

FJNS3211R中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

封装 TO-92

外形尺寸

封装 TO-92

数据手册

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型号: FJNS3211R
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
替代型号FJNS3211R
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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