FDR836P

FDR836P概述

P沟道2.5V指定MOSFET P-Channel 2.5V Specified MOSFET

P-Channel 20 V 6.1A Ta 900mW Ta Surface Mount SuperSOT™-8


得捷:
P-CHANNEL MOSFET


立创商城:
P沟道 20V 6.1A


贸泽:
MOSFET DISC BY MFG 2/02


FDR836P中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 1.8 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 6.1A

上升时间 14 ns

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

封装 SSOT-8

外形尺寸

长度 4.06 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.02 mm

封装 SSOT-8

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDR836P
型号: FDR836P
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:P沟道2.5V指定MOSFET P-Channel 2.5V Specified MOSFET

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台