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FQU3N60中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 2.4A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 IPAK

外形尺寸

封装 IPAK

其他

产品生命周期 Unknown

数据手册

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型号： FQU3N60

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET