FDP6670S

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FDP6670S中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 8.50 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 41.0 mA

上升时间 10 ns

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

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型号: FDP6670S
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:30V N沟道的PowerTrench剖SyncFET 30V N-Channel PowerTrench? SyncFET

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