FD200R12KE3HOSA1概述
晶体管, IGBT阵列&模块, 沟槽/场截止, N沟道, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 1.2 kV, Module
IGBT 模块 沟槽型场截止 单斩波器 1200 V 1050 W 底座安装 模块
得捷:
IGBT MODULE 1200V 1050W
e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, 沟槽/场截止, N沟道, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 1.2 kV, Module
艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050000mW 5-Pin 62MM-1 Tray
Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050000mW 5-Pin 62MM-1 Tray
FD200R12KE3HOSA1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.05 kW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 14nF @25V
额定功率Max 1050 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1050000 mW
封装参数
引脚数 5
封装 62MM-1
外形尺寸
封装 62MM-1
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Solar, Welding, Commercial and Agriculture Vehicles, Uninterruptible Power Supply UPS, Drives, Induction Heating
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FD200R12KE3HOSA1
型号： FD200R12KE3HOSA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：晶体管, IGBT阵列&模块, 沟槽/场截止, N沟道, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 1.2 kV, Module