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FDC6401N_NL图片1

FDC6401N_NL中文资料参数规格

技术参数

通道数 2

漏源极电阻 70 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 960 mW

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 3A

上升时间 7 ns

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SSOT-6

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.1 mm

封装 SSOT-6

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDC6401N_NL

型号： FDC6401N_NL

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：MOSFET Dual N-Ch 2.5V PowerTrench MOSFET

替代型号FDC6401N_NL

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FDC6401N_NL

Fairchild 飞兆/仙童

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飞兆/仙童

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FDC6401N_NL和FDC6401N的区别