FP50R12KT4PBPSA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

FP50R12KT4PBPSA1概述

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 50 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module

IGBT 模块沟槽型场截止三相反相器底座安装模块

欧时:
Infineon FP50R12KT4PBPSA1

得捷:
IGBT MOD 1200V 100A 20MW

e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 50 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module

艾睿:
EconoPIM™2 module withTrench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC/pre-applied Thermal Interface Material

FP50R12KT4PBPSA1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 1.45nF @25V

额定功率Max 20 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

封装 AG-ECONO2-4

外形尺寸

封装 AG-ECONO2-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Drives, Induction Heating, Air Conditioning System

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

FP50R12KT4PBPSA1引脚图与封装图

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型号： FP50R12KT4PBPSA1

描述：晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 50 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module