FP75R12KT3BOSA1概述
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.7 V, 355 W, 1.2 kV, Module
IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 底座安装 模块
得捷:
IGBT MOD 1200V 105A 355W
欧时:
Infineon FP75R12KT3BOSA1
e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.7 V, 355 W, 1.2 kV, Module
艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 105A 355000mW 35-Pin ECONO3-3 Tray
Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 105A 355000mW 35-Pin ECONO3-3 Tray
FP75R12KT3BOSA1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 355 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 5.3nF @25V
额定功率Max 355 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 355000 mW
封装参数
引脚数 35
封装 ECONO3-3
外形尺寸
封装 ECONO3-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Drives, Medical / Health Care, Air Conditioning System, Induction Heating
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
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