FF400R33KF2CNOSA1概述
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 660 A, 3.4 V, 4.8 kW, 3.3 kV, Module
Summary of Features:
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- High reliability and robust module construction
Benefits:
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- High power density for compact inverter designs
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- Standardized housing
得捷:
FF400R33 - 3300 V, 400 A DUAL IG
e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 660 A, 3.4 V, 4.8 kW, 3.3 kV, Module
艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 3300V 660A 4800mW Automotive 10-Pin IHV130-3 Tray
Verical:
Trans IGBT Module N-CH 3300V 660A 4800mW Automotive 10-Pin IHV130-3 Tray
Win Source:
FF400R33 - 3300 V, 400 A DUAL IG / IGBT Module
FF400R33KF2CNOSA1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 4.8 kW
击穿电压集电极-发射极 3300 V
输入电容Cies 50nF @25V
额定功率Max 4800 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 4800000 mW
封装参数
引脚数 10
封装 A-IHV130-3
外形尺寸
封装 A-IHV130-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Drives, Commercial and Agriculture Vehicles, Wind, Traction
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
FF400R33KF2CNOSA1引脚图与封装图 
在线购买FF400R33KF2CNOSA1
型号： FF400R33KF2CNOSA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 660 A, 3.4 V, 4.8 kW, 3.3 kV, Module