FP75R12KT4BOSA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

FP75R12KT4BOSA1概述

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module

IGBT 模块沟槽型场截止三相反相器底座安装模块

欧时:
Infineon FP75R12KT4BOSA1

得捷:
IGBT MOD 1200V 75A 385W

e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385000mW 35-Pin ECONO3-3 Tray

Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385000mW 35-Pin ECONO3-3 Tray

FP75R12KT4BOSA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 385 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 4.3nF @25V

额定功率Max 385 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 385000 mW

封装参数

引脚数 35

封装 AG-ECONO3-3

外形尺寸

封装 AG-ECONO3-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Drives, Air Conditioning System, Induction Heating

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

FP75R12KT4BOSA1引脚图与封装图

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型号： FP75R12KT4BOSA1

描述：晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module