FF100R12KS4HOSA1概述
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 3.2 V, 780 W, 1.2 kV, Module
IGBT 模块 - 2 个独立式 底座安装 模块
得捷:
IGBT MOD 1200V 150A 780W
e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 3.2 V, 780 W, 1.2 kV, Module
艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 780000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray
FF100R12KS4HOSA1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 780 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 650nF @25V
额定功率Max 780 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 780000 mW
封装参数
引脚数 7
封装 AG-62MM-1
外形尺寸
封装 AG-62MM-1
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Solar, Uninterruptible Power Supply UPS, Welding, Drives, Induction Heating, Commercial and Agriculture Vehicles
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FF100R12KS4HOSA1引脚图与封装图 
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