FF600R12ME4BOSA1概述
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 995 A, 1.75 V, 4.05 kW, 1.2 kV, Module
IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 4050 W 底座安装 模块
得捷:
IGBT MODULE 1200V 4050W
e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 995 A, 1.75 V, 4.05 kW, 1.2 kV, Module
艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 3650000mW 11-Pin ECONOD-5 Tray
安富利:
MEDIUM POWER ECONO
Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 995A 4050000mW 11-Pin ECONOD-5 Tray
FF600R12ME4BOSA1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 4.05 kW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 37nF @25V
额定功率Max 4050 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 3650000 mW
封装参数
引脚数 11
封装 AG-ECONOD-3
外形尺寸
封装 AG-ECONOD-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Welding, Uninterruptible Power Supply UPS, Drives, Solar, Induction Heating
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
FF600R12ME4BOSA1引脚图与封装图 
在线购买FF600R12ME4BOSA1
型号： FF600R12ME4BOSA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 995 A, 1.75 V, 4.05 kW, 1.2 kV, Module