FQT1N80TF-WS

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FQT1N80TF-WS概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 800 V, 15.5 ohm, 10 V, 5 V

表面贴装型 N 通道 800 V 200mA(Tc) 2.1W(Tc) SOT-223-3


立创商城:
FQT1N80TF-WS


得捷:
MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 800 V, 200 mA, 15.5 ohm, SOT-223, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


FQT1N80TF-WS中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 15.5 Ω

耗散功率 2.1 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 800 V

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 150pF @25VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, 照明, 工业

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQT1N80TF-WS
型号: FQT1N80TF-WS
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 800 V, 15.5 ohm, 10 V, 5 V

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