FDMC86183

FDMC86183图片1
FDMC86183概述

晶体管, MOSFET, 屏蔽栅极, N沟道, 47 A, 100 V, 0.011 ohm, 10 V, 3.2 V

表面贴装型 N 通道 100 V 47A(Tc) 52W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33


得捷:
MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN


立创商城:
FDMC86183


e络盟:
晶体管, MOSFET, 屏蔽栅极, N沟道, 47 A, 100 V, 0.011 ohm, 10 V, 3.2 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 8-Pin PQFN EP T/R


安富利:
N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V 47A 12.8mOhm 8-Pin PQFN T/R


FDMC86183中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.011 Ω

耗散功率 52 W

阈值电压 3.2 V

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 1080pF @50VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2300 mW

封装参数

引脚数 8

封装 483AX

外形尺寸

封装 483AX

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDMC86183
型号: FDMC86183
描述:晶体管, MOSFET, 屏蔽栅极, N沟道, 47 A, 100 V, 0.011 ohm, 10 V, 3.2 V

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