FZT558TA

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FZT558TA概述

DIODES INC.  FZT558TA  单晶体管 双极, PNP, 400 V, 50 MHz, 2 W, 200 mA, 100 hFE

是一款PNP硅平面中等功率高压双极, 2W功耗, -200mA连续集电极电流。

.
工作温度范围: -55至150°C

得捷:
TRANS PNP 400V 0.2A SOT223-3


立创商城:
PNP 400V 200mA


e络盟:
单晶体管 双极, PNP, 400 V, 50 MHz, 2 W, 200 mA, 100 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 400V 0.2A 3000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Allied Electronics:
PNP Transistor, 200mA, 400V, 2W, SOT223


安富利:
Trans GP BJT PNP 400V 0.2A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 400V 0.2A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 400V 0.2A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Newark:
# DIODES INC.  FZT558TA  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 400 V, 50 MHz, 2 W, 200 mA, 100 hFE


儒卓力:
**PNP TRANSISTOR 400V 0,2A SOT223 **


DeviceMart:
TRANSISTOR PNP MED 400V SOT223


Win Source:
TRANS PNP 400V 0.2A SOT223


FZT558TA中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC -400 V

额定电流 -200 mA

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @50mA, 10V

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FZT558TA
型号: FZT558TA
制造商: Diodes 美台
描述:DIODES INC.  FZT558TA  单晶体管 双极, PNP, 400 V, 50 MHz, 2 W, 200 mA, 100 hFE
替代型号FZT558TA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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