FCX591TA

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FCX591TA概述

三极管

三极管


得捷:
TRANS PNP 60V 1A SOT89-3


立创商城:
PNP 60V 1A


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power


艾睿:
Add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit with this PNP FCX591TA GP BJT from Diodes Zetex. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.


Allied Electronics:
60V PNP Power Transistor SOT-89


安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 1A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 1A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Win Source:
TRANS PNP 60V 1A SOT-89


DeviceMart:
TRANS PNP -60V -1000MA SOT-89


FCX591TA中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -1.00 A

额定功率 1 W

极性 PNP

耗散功率 1 W

增益频宽积 150 MHz

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 5V

额定功率Max 1 W

直流电流增益hFE 80

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FCX591TA
型号: FCX591TA
制造商: Diodes 美台
描述:三极管
替代型号FCX591TA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FCX591TA

Diodes 美台

当前型号

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FCX591ATA

美台

类似代替

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