FZT688B 系列 NPN 4 A 12 V 表面贴装 硅 中等功率 晶体管 - SOT-223
Use this versatile NPN GP BJT from Zetex to design various electronic circuits. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 3000 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. It has a maximum collector emitter voltage of 12 V and a maximum emitter base voltage of 7 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
频率 150 MHz
额定电压DC 12.0 V
额定电流 4.00 A
极性 NPN
耗散功率 3 W
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 400 @3A, 2V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FZT688BTA Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DNLS412E-13 美台 | 类似代替 | FZT688BTA和DNLS412E-13的区别 |
FZT688BTC 美台 | 类似代替 | FZT688BTA和FZT688BTC的区别 |
PBSS301NZ,135 恩智浦 | 功能相似 | FZT688BTA和PBSS301NZ,135的区别 |