FZT789AQTA

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FZT789AQTA概述

Trans GP BJT PNP 25V 3A 3000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

Add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit with this PNP GP BJT from Zetex. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 3000 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. It has a maximum collector emitter voltage of 25 V and a maximum emitter base voltage of 7 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

FZT789AQTA中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 PNP

耗散功率 3 W

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 3A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FZT789AQTA
型号: FZT789AQTA
制造商: Diodes 美台
描述:Trans GP BJT PNP 25V 3A 3000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R
替代型号FZT789AQTA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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