Trans GP BJT PNP 60V 3A 3000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R
60V PNP HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
Features
•BVCEO> -60V
•IC= -3A high Continuous Current
•ICM= -6A Peak Pulse Current
• Low Saturation Voltage VCEsat < -300mV @ -1A
• Complementary NPN Type: FZT651
• Lead-Free Finish; RoHS compliant Notes 1 & 2
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device Note 3
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
• PPAP capable Note 4
Applications
•Automotive lighting
• MOSFET and IGBT gate driving
频率 140 MHz
极性 PNP
耗散功率 3 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 2V
额定功率Max 3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
FZT751QTA Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
FZT751TA 美台 | 类似代替 | FZT751QTA和FZT751TA的区别 |
DZT751-13 美台 | 类似代替 | FZT751QTA和DZT751-13的区别 |
FZT751TC 美台 | 功能相似 | FZT751QTA和FZT751TC的区别 |