FZT649TC

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FZT649TC概述

Trans GP BJT NPN 25V 3A Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

Bipolar BJT Transistor NPN 25V 3A 240MHz 2W Surface Mount SOT-223


得捷:
TRANS NPN 25V 3A SOT223-3


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NPN 25V 3A


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power


艾睿:
Diodes Zetex brings you the solution to your high-voltage BJT needs with their NPN FZT649TC general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 3000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 25 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.


安富利:
Trans GP BJT NPN 25V 3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


富昌:
FZT649 系列 25 V 3 A 2 W NPN 高性能 表面贴装 晶体管 - SOT-223


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 25V 3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


FZT649TC中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 3.00 A

耗散功率 2 W

增益频宽积 240 MHz

击穿电压集电极-发射极 25 V

最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 2V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.65 mm

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FZT649TC
型号: FZT649TC
制造商: Diodes 美台
描述:Trans GP BJT NPN 25V 3A Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R
替代型号FZT649TC
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