Trans GP BJT NPN 25V 3A Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R
Bipolar BJT Transistor NPN 25V 3A 240MHz 2W Surface Mount SOT-223
得捷:
TRANS NPN 25V 3A SOT223-3
立创商城:
NPN 25V 3A
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
艾睿:
Diodes Zetex brings you the solution to your high-voltage BJT needs with their NPN FZT649TC general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 3000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 25 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.
安富利:
Trans GP BJT NPN 25V 3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
富昌:
FZT649 系列 25 V 3 A 2 W NPN 高性能 表面贴装 晶体管 - SOT-223
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 25V 3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
额定电压DC 25.0 V
额定电流 3.00 A
耗散功率 2 W
增益频宽积 240 MHz
击穿电压集电极-发射极 25 V
最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 2V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.65 mm
封装 TO-261-4
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FZT649TC Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
FZT649 美台 | 完全替代 | FZT649TC和FZT649的区别 |
FZT649TA 美台 | 类似代替 | FZT649TC和FZT649TA的区别 |