FZT489 系列 NPN 1 A 30 V 硅 平面 中等功率 晶体管 - SOT-223
Implement this versatile NPN GP BJT from Zetex into an electronic circuit to be used as a current or voltage-controlled switch or amplifier. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 30 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.
频率 150 MHz
额定电压DC 30.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 2V
最大电流放大倍数hFE 100
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.65 mm
封装 TO-261-4
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FZT489TA Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
BCP68T1G 安森美 | 功能相似 | FZT489TA和BCP68T1G的区别 |
BCP68-25,115 恩智浦 | 功能相似 | FZT489TA和BCP68-25,115的区别 |
BCP68 恩智浦 | 功能相似 | FZT489TA和BCP68的区别 |